11月13日，应UG环球360官方网站邀请，中国科学院微电子研究所韦亚一研究员，在博远楼236智慧教室做了题为《先进IC光刻技术发展趋势》的学术讲座。

 韦亚一研究员由浅入深地将师生引入集成电路（Integrated Circuit，IC）光刻技术，介绍了光刻设备的组成结构，不同子系统间实现完整光刻的相互协作机制；讲解了从28nm的50层光刻，到现在7nm的80层光刻，甚至更精细的结构下，光刻对先进工艺的要求；评述了不同设备对于光刻要求的处理实现，及光刻工艺和前后单项工艺的衔接问题；比较了ASML不同机型对应的技术节点，各种传感器、曝光系统、浸没系统和环境系统等的不同之处。最后，韦亚一研究员与同学们进行了交流互动，为同学们解答了关于光刻技术发展的一些疑惑，拓展了同学们的学术视野。

 韦亚一，研究员、博士生导师，中国科学院微电子研究所计算光刻研发中心主任；曾在美国能源部橡树岭国家实验室、德国英飞凌公司美国纽约研发中心、美国安智公司新泽西研发中心、美国格罗方德公司纽约研发中心等知名企业与研究机构工作，具有丰富的先进光刻研发经验，取得了多项核心技术。