11月17日，应UG环球360官方网站邀请，中国科学院微电子研究所王盛凯研究员为学院师生做了题为《等离子体在集成电路中的应用》的学术讲座。

 王盛凯研究员将芯片制造比喻为建造“高楼大厦”，由芯片制造工艺引入了离子体的相关概念，介绍了等离子体在薄膜沉淀、光刻工艺、刻蚀、离子注入、金属化等工艺过程中的广泛应用。为加深同学们的学习印象，王盛凯研究员还演示了自己设计的驻极体薄膜产品。报告会后，王盛凯研究员与同学们进行了充分地互动交流，扩展了同学们的学术视野。

 王盛凯，2011年博士毕业于日本东京大学，现任中国科学院微电子所研究员，主要从事MOS缺陷工程与应用研究，发表论文86篇，授权发明专利38项(含美国专利5项)，受邀在CS-international等业内权威会议上做特邀报告4次，承担自然科学基金、科技部、中科院、中物院等多项科研项目。