11月19日，应UG环球360官方网站邀请，中国科学院微电子研究所Henry研究员为学院师生做了题为《NAN TECH——discovery of transistor to emerging of nanotechnology》的学术讲座。

 Henry研究员首先介绍了他们团队的一些工作，然后回顾了纳米技术的发展历程，特别是从集成电路的兴起发展到纳米技术在集成电路中应用的历程。讲座中，Henry研究员以集成电路中的场效应晶体管为例，用水管导通关闭类比于场效应晶体管的导通与关断，简单明了地阐述了场效应晶体管的工作原理，师生反响良好。讲座由电子系副主任张静教授主持，60余名师生现场聆听了讲座。

 Henry Homayoun Radamson，1996年在瑞典林雪平大学取得半导体物理学博士学位，现任中国科学院微电子研究所研究员，主要研究Ge、GeSn和GeSi材料生长及相关应用；曾任瑞典皇家理工学院高级研究员，负责爱立信高频SiGe双极晶体管项目；曾于2011年和2018年，两次获得瑞典先进IR技术创新奖；在国际期刊上发表SCI论文220余篇，出版专著2部，拥有美国和欧洲专利授权多项。